Transistores bipolares PNP

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6E. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA92. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92AMMO. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-TR. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) MPSA06. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA56. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, TO92, -300V. Carcaça: TO92. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. Polaridade: PNP. Potência: 0.625W. VCBO de tensão-base do coletor: -300V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Largura de banda MHz: 70MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 25. Série: MPSA

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 60pF. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) NJW0302. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 75. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) NJW3281. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3P, 250V, 16A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3P. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NJW21193G. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, 60V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementar (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89 (SC-62). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 85pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 80. Ic(pulso): 15A. Nota: PBSS4041NX. Marcação na caixa: 6g. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Spec info: serigrafia/código SMD 6G. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 75 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 60mV. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 300mV. Vebo: 5V

Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente do coletor: 600mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 29pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 800mA. Marcação na caixa: *T2, P2T, T2T, W2T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementar (par) PMBT4401. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 75pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de uso geral. Spec info: hFE 80...450. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de uso geral. Spec info: hFE 240...600. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92AMMO. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Amplificador de uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2907A. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-363. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor PNP duplo. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: B*1. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor PNP . Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A6A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.24W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 160. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 4. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Operação push-pull classe B. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: excelente linearidade hFE. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 95pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Operação push-pull classe B. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: excelente linearidade hFE. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: Amplificador de potência média. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 82. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) STD1862. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Função: comutação rápida de alta tensão, transistor de potência PNP. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: N9260. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 150 ns. Tipo de transistor: PNP. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V