Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, TO92, -300V - MPSA92

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Transistor NPN, TO92, -300V - MPSA92. Transistor NPN, TO92, -300V. Carcaça: TO92. Tensão coletor-emissor VCEO: -300V. Tipo: transistor para aplicações de baixa potência. Polaridade: PNP. Potência: 0.625W. VCBO de tensão-base do coletor: -300V. Tipo de montagem: montagem através de furo PCB. Largura de banda MHz: 70MHz. Colecionador DC/ganho de base hfe min.: 25. Série: MPSA. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial PNP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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