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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - STB1277Y

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - STB1277Y. Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: Amplificador de potência média. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 82. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) STD1862. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 02:25.

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: 9mm. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: 9mm. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277
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