Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 8A, 100V - BD902

Transistor NPN, 8A, 100V - BD902
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Transistor NPN, 8A, 100V - BD902. Transistor NPN, 8A, 100V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Função: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) BD901. Tipo de transistor: PNP. Produto original do fabricante Mev. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP102. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
TIP107
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP102. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: 10k Ohms. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 150 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Ganho máximo de hFE: 750. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) BDX33C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V
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