Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V - BD830

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V - BD830
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Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V - BD830. Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-202. Habitação (conforme ficha técnica): TO-202; SOT128B. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 75 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementar (par) BD829. Tipo de transistor: PNP. Produto original do fabricante Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD140. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 250. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Spec info: transistor complementar (par) BD139 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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