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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: hFE 750. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD679. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-1...
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD682. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD681. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD682. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD681. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 ...
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
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