Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V - BD678A

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V - BD678A. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho mínimo de hFE: 750. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Spec info: transistor complementar (par) BD677A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10MHz. Função: Potência Linear e Comutação. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 14W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD679A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.8V. Vebo: 5V
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