FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SC-67 ). Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2200pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. Marcação na caixa: K3799. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 14 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 96pF. Custo): 29pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 2.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K3850. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 9 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=100°C): 5.3A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2200pF. Custo): 45pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1.4us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 27A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K3878. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 65 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-3PN. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4250pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 80A. Marcação na caixa: K3911. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 4250pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 92A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI). Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2400pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 52A. Marcação na caixa: K4012. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 70 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOS VI). Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( 2-10U1B ). Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1400pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 18A. Marcação na caixa: K4013 Q. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 80 ns. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOS IV). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(im): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (U-MOS III)

Transistor de canal N, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 5.2m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 2900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação de alta corrente. Id(im): 180A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K4075. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 18 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Tecnologia: POWER MOSFET, transistor de efeito de campo. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3400pF. Custo): 320pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 80A. IDss (min): n/a. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 280 ns. Td(ligado): 130 ns. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (MOS VI). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5A, 5A, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: V-MOS. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W

Transistor de canal N, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. On-resistência Rds On: 2.5 Ohms. Tensão Vds(máx.): 850V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W

Transistor de canal N, 5A, 5A, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tecnologia: V-MOS. Nota: (F)

Transistor de canal N, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 900pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Id(im): 12A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. DI (T=25°C): 0.6A. Idss (máx.): 0.6A. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Função: Acionamento por relé, acionamento por motor

Transistor de canal N, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25A. On-resistência Rds On: 0.046 Ohms. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET

Transistor de canal N, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. DI (T=25°C): 0.15A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): SSFP. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 7pF. Custo): 5.9pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Id(im): 0.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.3V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.4V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-343, 12.5V, 30mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-343. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1V. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

Transistor de canal N, 0.035 Ohms, TO-247AC, 1200V. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 1200V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 52A. Potência: 228W. Diodo embutido: sim

Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUDIO POWER MOSFET. IDss (min): 10mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Spec info: transistor complementar (par) ALF08P20V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 5.7A. On-resistência Rds On: 22m Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 630pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 16.8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 25A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21.5 ns. Td(ligado): 3.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 4.9A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 23.4m Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 621pF. Custo): 118pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15.1 ns. Td(ligado): 4.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. C (pol.): 520pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 25A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS