Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108

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Transistor de canal N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V - 2SK4108. Transistor de canal N, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3400pF. Custo): 320pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Proteção GS: sim. Id(im): 80A. IDss (min): n/a. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 280 ns. Td(ligado): 130 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (MOS VI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 14:25.

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Transistor de canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Ids...
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Transistor de canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2600pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. Marcação na caixa: K20J50D. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS de efeito de campo (MOSVII). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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Transistor de canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2600pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. Marcação na caixa: K20J50D. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS de efeito de campo (MOSVII). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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