FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 1.87 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 950pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Temperatura operacional: -...+150°. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO–220FM. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 740pF. Custo): 380pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 10 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 1.05 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2150pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Conversor DC-DC, relé e acionamento de motor. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 12.5A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 790pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 75A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( MTP3 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 160pF. Custo): 85pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 8A. Marcação na caixa: KE. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MOS FET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD KE. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 550pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1.3us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: MOSFET de comutação de energia, uso industrial . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 38m Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 5400pF. Custo): 1900pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 190 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS-V. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Regulador de modo de comutação, conversor DC-DC, driver de motor. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F-3L. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 650pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 2us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 0.1uA. Equivalentes: FS5KM-10-AW. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 7A. On-resistência Rds On: 1.62 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 28A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON POWER MOS-FET. Quantidade por caixa: 1. Função: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.58 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1200pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 0.75us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 40A. IDss (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). DI (T=25°C): 21A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão Vds(máx.): 600V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (pol.): 2280pF. Custo): 290pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 0.7us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 84A. IDss (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.46 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 740pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 2.3 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 28A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1050pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 32A. Marcação na caixa: K3561. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 6A. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1050pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. Marcação na caixa: K3562. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 5A. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 550pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 20A. Marcação na caixa: K3563. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 700pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 850 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 9A. Marcação na caixa: K3564. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 125 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1150pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 15A. Marcação na caixa: K3565. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 5.6 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 470pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 720 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 7.5A. Marcação na caixa: K3566. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 3.5A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (máx.): 3.5A. On-resistência Rds On: 1.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 14A. Marcação na caixa: K3567. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1500pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 48A. Marcação na caixa: K3568. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): SC-67, 2-10U1B. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1500pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 40A. Marcação na caixa: K3569. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Peso: 1.7g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 50 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. C (pol.): 700pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 850 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 125 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIV). Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 30A. Marcação na caixa: K3667. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.22 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1100pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 3.2us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: K3679. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.31 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 430pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14.8A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: K3699. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS