FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(im): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS II.5. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V

Transistor de canal N, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 5.5A. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Tensão Vds(máx.): 400V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC-DC. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220, 250V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K1393. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 150 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 675pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor de canal N, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 3.6A. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 2.8 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3BP. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 700pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 10A. Marcação na caixa: K1461. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: V-MOS, S-L. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v

Transistor de canal N, soldagem PCB, 21F1B, 1 kV, 12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 21F1B. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SK1489. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1200pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 27A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K1507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 180V. C (pol.): 700pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicação de amplificador de alta potência. Proteção GS: NINCS. Marcação na caixa: K1529. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SJ200. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MOS de canal N de silício de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series

Transistor de canal N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 690pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: V-MOS. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V

Transistor de canal N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. DI (T=100°C): 1A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 400pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Proteção GS: NINCS. Id(im): 8A. Marcação na caixa: K2043. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de silício. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V

Transistor de canal N, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. DI (T=25°C): 20mA. Idss (máx.): 12mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 4pF. Custo): 4pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Aplicativos de sintonizador FM. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 0.6mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+125°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.5V

Transistor de canal N, 7A, 8A, 8A, 0.4 Ohms, 200V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 6A. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 24A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor MOSFET

Transistor de canal N, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS-L

Transistor de canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 2A. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(im): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series

Transistor de canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 2A. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(im): 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: FAP-IIA Series

Transistor de canal N, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1100pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Eletrônica automotiva. Proteção GS: sim. Id(im): 108A. Marcação na caixa: K2314. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: ESD Protected--2000V min. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140us. Td(ligado): 30us. Tecnologia: Transistor de efeito de campo de potência. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 6A. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Tensão Vds(máx.): 700V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Nota: 70/160ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tecnologia: V-MOS (F)

Transistor de canal N, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3600pF. Custo): 700pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. Marcação na caixa: K2372. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 7.5A. On-resistência Rds On: 0.42 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo

Transistor de canal N, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. DI (T=25°C): 3mA. Idss (máx.): 14mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Função: transistor complementar (par) 2SJ103. IDss (min): 6mA. Marcação na caixa: K246BL. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão porta/fonte Vgs: -30V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 6V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.7V

Transistor de canal N, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação de alta tensão . Proteção GS: NINCS. Id(im): 12A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 63 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.046 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Yfs--8-16S. Proteção GS: sim. Id(im): 75A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2507. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (L2-TT-MOSV). Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V