FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 2A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 220pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 4A. Marcação na caixa: K2538. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power F-MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 4A, 8A, 8A, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MOS (TT.MOSV)

Transistor de canal N, 3A, 6A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1300pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: sim. Id(im): 24A. Marcação na caixa: K2545. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 45 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1800pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, H.V. Proteção GS: sim. Id(im): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 80 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 9A, 9A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, H.V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII)

Transistor de canal N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2040pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1.6us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, H.V. Proteção GS: sim. Id(im): 27A. Marcação na caixa: K2611. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 ( 2-5K1B ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 150pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor de efeito de campo. Proteção GS: Supressor . Id(im): 6A. Marcação na caixa: ZA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tipo MOS (L2.TT.MOSV). Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 700pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Proteção GS: NINCS. Id(im): 16A. Marcação na caixa: K2625. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 1mV. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI-LS. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 550pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Diodo de germânio: NINCS. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 5.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.73 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 950pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2640. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: K2645. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 3.19 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 450pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Id(im): 16A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2647. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.78 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 900pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.35 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 780pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed Switching, Zener-Protected. Proteção GS: sim. Id(im): 20A. Marcação na caixa: K2662. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo (TT-MOS V). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.1 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1140pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): na. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 10A. IDss (min): na. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Proteção GS: sim. Id(im): 48A. Marcação na caixa: K2699. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 750pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Alta velocidade, comutação de alta tensão, conversores DC/DC. Proteção GS: sim. Id(im): 9A. Marcação na caixa: K2700. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. DI (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 2A. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 280pF. Custo): 58pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Velocidade de comutação rápida. Proteção GS: NINCS. Id(im): 6A. Marcação na caixa: K2715. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1200pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Alta velocidade, comutação de alta tensão, conversores DC/DC. Proteção GS: sim. Id(im): 15A. Marcação na caixa: K2717. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 28m Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 830pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta corrente. Proteção GS: sim. Id(im): 100A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 21 ns. Tecnologia: Transistor de potência de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 800pF. Custo): 65pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Proteção GS: sim. Id(im): 14A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K2750. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1100pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 36A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 700V. C (pol.): 1850pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 2.5us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Proteção GS: sim. Id(im): 48A. IDss (min): na. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET canal N. Potência: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V

Transistor de canal N, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2040pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Proteção GS: sim. Id(im): 48A. IDss (min): na. Marcação na caixa: K2842. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 58 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2040pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Proteção GS: sim. Id(im): 40A. IDss (min): na. Marcação na caixa: K2843. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 190 ns. Td(ligado): 58 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V