Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK2850

Transistor de canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK2850
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Transistor de canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK2850. Transistor de canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 1.87 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 950pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 900ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: TT-MOSV. Temperatura operacional: -...+150°. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 12:25.

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Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: protegido com diodo Zener. Proteção GS: sim. Id(im): 23.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W7NK90Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: protegido com diodo Zener. Proteção GS: sim. Id(im): 23.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W7NK90Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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