Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2625LS

Transistor de canal N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2625LS
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2 - 2 5.67€ 6.97€
3 - 4 5.49€ 6.75€
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Transistor de canal N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V - 2SK2625LS. Transistor de canal N, 4A, 1mA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 700pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultrahigh-Speed Switching. Proteção GS: NINCS. Id(im): 16A. Marcação na caixa: K2625. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 08:25.

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Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T...
FQPF5N60C
Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção GS: NINCS. Id(im): 18A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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