FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB10N07. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 900ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB14N04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 120ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB35N07-E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB49N04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 600 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 75uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 45V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. Nota: serigrafia/código SMD 1NV04P. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 70V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNP10N07-E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 900ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 70V. RoHS: sim. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: OMNIFET

Transistor de canal N, 70V, Limitada internamente, 200uA, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 70V. DI (T=25°C): Limitada internamente. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Usado para: Ilim= 35A IR= -50A. Tensão de entrada Vin (máx.): 18V. Custo): 980pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Interruptor de driver totalmente autoprotegido . IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: Limitação de Corrente Linear. Td(desligado): 650 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: OMNIFET

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 70V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNP5N07-E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 75uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 107ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. Nota: serigrafia/código SMD S3NV04DP. Marcação na caixa: S3NV04DP. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 650V, 38A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 193 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2940pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 277W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. On-resistência Rds On: 0.0055 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 130A. Potência: 260W

Transistor de canal N, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V. On-resistência Rds On: 0.0029 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 200A. Potência: 260W

Transistor de canal N, 100V, 0.0086 Ohms, TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. On-resistência Rds On: 0.0086 Ohms. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 70A. Potência: 125W

Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVN3306F. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 35pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. On-resistência Rds On: 10 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Nível lógico. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 70V. C (pol.): 298pF. Custo): 35pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 10A. IDss (min): 0uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.5 ns. Td(ligado): 1.9 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V