FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10U1B. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1350pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Proteção GS: NINCS. Id(im): 30Ap. Marcação na caixa: K8A65D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v

Transistor de canal N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 0.3A. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 240V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Nível lógico. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 58 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7150pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 161A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6435pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 47 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4456pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 40V, 121A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5022pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 60V, 104A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 56 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), PDFN56, 60V, 107A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: PDFN56. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 78 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6253pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 136W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 20V, -6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 0.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 562pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. DI (T=25°C): 0.47A. Idss (máx.): 0.47A. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB10N07. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 900ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB14N04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 120ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 500 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB35N07-E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNB49N04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 600 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 75uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 45V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. Nota: serigrafia/código SMD 1NV04P. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor de canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 70V. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. Proteção GS: diodo Zener . Id(im): 14A. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: Limitação de Corrente Linear. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: OMNIFET. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor de canal N, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 70V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Mosfet de potência totalmente autoprotegido. IDss (min): 50uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: OMNIFET. Dissipação máxima Ptot [W]: 83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): MOSFET. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Tensão Vds(máx.): 70V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNP35N07. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 1000 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 100 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C. Usado para: Ilim= 35A IR= -50A. Tensão de entrada Vin (máx.): 18V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 70V, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VNP5N07-E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +135°C

Transistor de canal N, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 75uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 107ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. Nota: serigrafia/código SMD S3NV04DP. Marcação na caixa: S3NV04DP. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 650V, 38A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 193 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2940pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 277W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVN3306F. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 35pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. On-resistência Rds On: 10 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Nível lógico. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Transistor de canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 70V. C (pol.): 298pF. Custo): 35pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 10A. IDss (min): 0uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.5 ns. Td(ligado): 1.9 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V