FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 3500pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 964ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade ESD aprimorada . Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W12NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 88 ns. Td(ligado): 31 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 40A. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: W13NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 13A. Potência: 150W. Número de terminais: 3. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2000pF. Custo): 238pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 48A. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: W14NK50Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 0.55 Ohms, TO-247, 900V. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 900V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 15A. Potência: 350W

Transistor de canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 10.71A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1630pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 68A. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: 18NM80. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 500V. Carcaça (padrão JEDEC): 30. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W20NK50Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 20A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W20NM50FD. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1380pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 214W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1450pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W20NM60. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.135 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1800pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 26NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Peso: 4.51g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1440pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 28N65M2. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 13.4 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.62 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 2400pF. Custo): 650pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMESH™ MOSFET. Id(im): 136A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W34NB20. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 30 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Fontes de alimentação comutadas SMPS, conversores DC-AC. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 35A. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 255W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: MDmesh II. Função: Idm--140Ap(pulsed). Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4300pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 140A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 43NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 255W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: MDmesh II. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Baixa resistência de entrada da porta. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 3800pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 508 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 180A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: W45NM60. Pd (dissipação de energia, máx.): 417W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1250pF. Custo): 128pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 22.4A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 2.2A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 2.7 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 1154pF. Custo): 106pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 605 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W5NK100Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51.5 ns. Td(ligado): 22.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W7NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 15A. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 37W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Número de terminais: 3. Tecnologia: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 30 v, 75A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SUP75N03-04. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 190 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 10742pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 187W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 85A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.003 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3535pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: TrenchFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Fonte de alimentação, conversor DC/DC. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3FS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 430V. C (pol.): 5500pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo de germânio: Supressor . Corrente do coletor: 240A. Ic(pulso): 240A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 46 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Tensão porta/emissor VGE: 33V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Função: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diversos: flash, controle de estroboscópio. Tecnologia: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Diodo CE: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2600pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1700 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Id(im): 80A. Marcação na caixa: K20J50D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Tipo POWER MOS de efeito de campo (MOSVII). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 800pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. Marcação na caixa: K6A60D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1050pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 24A. IDss (min): 10uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS