Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - ZVNL120A

Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - ZVNL120A
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Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - ZVNL120A. Transistor de canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 0.18A. Idss (máx.): 0.18A. On-resistência Rds On: 10 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 05:25.

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Transistor de canal N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 0.3A. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 240V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms. Quantidade por caixa: 1
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Transistor de canal N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 0.3A. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 240V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms. Quantidade por caixa: 1
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