FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 800V, 5.2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P7NK80Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1138pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Carcaça: TO-220FP. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Id(im): 20.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 5.2A. Número de terminais: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3850pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING APPLICATION. Id(im): 320A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P80NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 80A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P80NF10. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 26 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 116 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 120V. C (pol.): 4300pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 155 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 320A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P80NF12. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3850pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 320A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: controle de motor, amplificador de áudio. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. DI (T=100°C): 68A. DI (T=25°C): 98A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0098 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 68V. C (pol.): 2550pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 392A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 80NF70. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. DI (T=100°C): 4.3A. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 700V. C (pol.): 2350pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 680 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 27A. IDss (min): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: PowerMESH™III MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1320pF. Custo): 143pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P8NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMesh. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220, TO-220AC, 500V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 910pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 238 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK50Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 4.5A, 7.2A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 910pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 238 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK50ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1110pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28A. IDss (min): 1us. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 600V, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P9NK60Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1100pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1110pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 32A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. DI (T=100°C): 0.189A. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 13 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammopak. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 94pF. Custo): 17.6pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 135 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 1NK60ZR. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: Capacidade melhorada contra ESD e protegida por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Função: 2xN-CH 60V. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1370pF. Custo): 156pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W10NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2180pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W10NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 800V, 9A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W10NK80Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 65 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 3500pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 560 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: capacidade dv/dt extremamente alta, aplicações de comutação. Id(im): 33.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W11NK100Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 98 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 1 kV, 8.3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W11NK100Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 98 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.82 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 3000pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 584 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ZenerProtect. Id(im): 36.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W11NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 76 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 10.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2620pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 635 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade ESD aprimorada . Id(im): 42A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: W12NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência SuperMESH™ protegido por diodo zener . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim