Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.64€ | 6.94€ |
2 - 2 | 5.36€ | 6.59€ |
3 - 4 | 5.19€ | 6.38€ |
5 - 9 | 5.08€ | 6.25€ |
10 - 19 | 4.96€ | 6.10€ |
20 - 29 | 4.79€ | 5.89€ |
30+ | 4.62€ | 5.68€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.64€ | 6.94€ |
2 - 2 | 5.36€ | 6.59€ |
3 - 4 | 5.19€ | 6.38€ |
5 - 9 | 5.08€ | 6.25€ |
10 - 19 | 4.96€ | 6.10€ |
20 - 29 | 4.79€ | 5.89€ |
30+ | 4.62€ | 5.68€ |
Transistor de canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V - TIG056BF-1E. Transistor de canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3FS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 430V. C (pol.): 5500pF. Custo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Diversos: flash, controle de estroboscópio. Função: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diodo de germânio: Supressor . Corrente do coletor: 240A. Ic(pulso): 240A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 46 ns. Tecnologia: Enhancement type. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Tensão porta/emissor VGE: 33V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.
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