Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - TK7P60W

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1 - 4 3.06€ 3.76€
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Transistor de canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - TK7P60W. Transistor de canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 470pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 230 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: para reguladores de tensão de modo de comutação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 28A. Marcação na caixa: TK7P60W. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: MOSFET (DTMOSIV). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.7V. Vgs(th) mín.: 2.7V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 14:25.

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Transistor de canal N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.53 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 540pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 10NM60N. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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