FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1630pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 612 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 44A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: P11NM80. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 77A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 5200pF. Custo): 785pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 152 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 440A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P120NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 1000pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P12NM50. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 1000pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P12NM50FP. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 790pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13NM60N. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 44A. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 120V. C (pol.): 460pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 56A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P14NF12. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2000pF. Custo): 238pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P14NK50ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Proteção de diodo Zener. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.08 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 315pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 64A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P16NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 7 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Capacidade excepcional de dv/dt, baixa carga de porta. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.08 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 345pF. Custo): 72pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 64A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Low Gate Charge. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 5100pF. Custo): 1270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 480A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 200N4F3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: comutação, aplicações automotivas. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGHdv/dtCAP. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: II Power Mos. Quantidade por caixa: 1. Nota: Low Gate Charge

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1300pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P20NM60FD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 192W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Baixa capacitância de porta. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1500pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P20NM60FP. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: MDmesh™ MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 870pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 100us. Tensão limite do diodo: 1.5V. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING APPLICATION. Id(im): 104A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P24NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.135 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1800pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 26NM60N. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1180pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 110us. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 140A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 690pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P36NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 27 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Função: trr 65ns, dv/dt eficiente

Transistor de canal N, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Quantidade por caixa: 1. Função: trr 65ns, dv/dt eficiente

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 30A, 60.4k Ohms. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Carcaça (padrão JEDEC): 60.4k Ohms. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P36NF06L. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 660pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 2.9A. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 400pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 13.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NB60. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 4.6 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 440pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 10.4A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 3.5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMESH III

Transistor de canal N, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V. Carcaça: TO-220FP. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. On-resistência Rds On: 3.3 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 2.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt muito alta, para aplicações de comutação. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P3NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim