Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP
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25 - 49 1.88€ 2.31€
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Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP. Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1138pF. Custo): 122pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade dv/dt EXTREMAMENTE ALTA . Proteção GS: sim. Id(im): 20.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80ZFP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.

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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI ...
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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Proteção GS: NINCS. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Proteção GS: NINCS. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP

Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI ...
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Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1320pF. Custo): 143pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção GS: sim. Id(im): 24.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P8NK80ZFP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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