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Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP6NK60ZFP

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP6NK60ZFP
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Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP6NK60ZFP. Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 905pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção GS: sim. Id(im): 24A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 20:25.

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Transistor de canal N, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 6A. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1050pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Proteção GS: sim. Id(im): 24A. Marcação na caixa: K3562. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI)
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