Transistor de canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor de canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.30€
5-24
1.98€
25-49
1.74€
50-99
1.58€
100+
1.36€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 78

Transistor de canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 6A. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1050pF. Custo): 110pF. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. Marcação na caixa: K3562. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:31

Documentação técnica (PDF)
2SK3562
27 parâmetros
DI (T=100°C)
6A
DI (T=25°C)
6A
Idss
100uA
Idss (máx.)
6A
On-resistência Rds On
0.9 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
1050pF
Custo)
110pF
Diodo Trr (mín.)
1000 ns
Função
Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
Id(im)
24A
Marcação na caixa
K3562
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
130 ns
Td(ligado)
40 ns
Tecnologia
Field Effect (TT-MOSVI)
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Toshiba

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