Transistor de canal N TK6A60D, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 800pF. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 24A. Marcação na caixa: K6A60D. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura operacional: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:08