FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 7.6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 870pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: sim. Id(im): 48A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13N80K5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 790pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 52A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13NM60N. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1000pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 52A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 18NM60. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: sim. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F3NK80Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220FP. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5NK100Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1154pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220FP. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2115pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: sim. Id(im): 32A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F9NK90Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100mA. On-resistência Rds On: 0.63 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 452pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 324 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Baixa capacitância de entrada e carga do portão. Proteção GS: NINCS. Id(im): 26A. IDss (min): 1mA. Marcação na caixa: 9NM60N. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 26A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 610pF. Custo): 65pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: dimmer de luz, relé estático, driver de motor. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 100A. Marcação na caixa: GF10NB60SD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: Baixa queda de tensão (VCE(sat)). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 1.2 ns. Td(ligado): 0.7 ns. Tecnologia: PowerMESH IGBT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.35V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V

Transistor de canal N, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 380pF. Custo): 46pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Função: Controles de motor de alta frequência. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 30A. Marcação na caixa: GP10NC60KD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: Tempo de resistência a curto-circuito 10us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 17 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2200pF. Custo): 225pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 44 ns. Função: inversores de alta frequência, UPS. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 150A. Marcação na caixa: GW20NC60VD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 31 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.75V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.75V

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 2510pF. Custo): 175pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Função: capacidade de alta corrente, alta impedância de entrada. Diodo de germânio: NINCS. Data de produção: 201509. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 135A. Marcação na caixa: GW30NC120HD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. RoHS: sim. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 275 ns. Td(ligado): 29 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.75V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.75V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.75V

Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 4550pF. Custo): 350pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Operação de alta frequência até 50KHz. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 200A. Marcação na caixa: GW40NC60V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. RoHS: sim. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 43 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.75V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.75V

Transistor de canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1350pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET de potência rápida. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Nota: Viso 4000V. Marcação na caixa: H8NA60FI. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ‘Modo de aprimoramento’. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.75V. Vgs(th) mín.: 2.25V

Transistor de canal N, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 630mA. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 150pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 4A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 4NF20L. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10.4 ns. Td(ligado): 2 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V

Transistor de canal N, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 80V. C (pol.): 5955pF. Custo): 244pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 38 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: NINCS. Id(im): 400A. Marcação na caixa: 100N8F6. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 176W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 103 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1370pF. Custo): 156pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Proteção GS: sim. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK60Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1370pF. Custo): 156pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Proteção GS: sim. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK60ZFP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2180pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Proteção de diodo Zener. Proteção GS: sim. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK80Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2180pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 645 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: protegido com diodo Zener. Proteção GS: sim. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P10NK80ZFP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220FP, 800V, 9A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220FP. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P10NK80ZFP. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 65 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 1250pF. Custo): 210pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 42.8A. IDss (min): 1uA. Nota: Viso 2000VDC. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 400V, 9A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P11NK40Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 930pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1000pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1000pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V