FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.017...0.025 Ohms. Marcação na caixa: TB. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Proteção GS: NINCS. Id(im): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Marcação na caixa: 04N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. RoHS: sim. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 790pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Marcação na caixa: 07N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, soldagem PCB, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220 (PG-TO220FP). Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 07N60C3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.9V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 60 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 790pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 32W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.56 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1100pF. Custo): 46pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: 08N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1200pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: caixa isolada (2500 VCA, 1 min). Proteção GS: NINCS. Id(im): 33A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 11N65C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Proteção GS: NINCS. Id(im): 33A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 41W. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 560V. C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção GS: NINCS. Id(im): 48A. IDss (min): 0.1uA. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Marcação na caixa: 16N50C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. RoHS: sim. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 32A. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SIPMOS Power Transistor

Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 56A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Marcação na caixa: 56N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SIPMOS Power Transistor

Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 4480pF. Custo): 1580pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 195 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ‘Modo de aprimoramento’. Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N04H4. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 560V. C (pol.): 750pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Proteção GS: NINCS. Id(im): 22.8A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 08N50C3. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.093 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 215pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. Id(im): 37A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: SPD09N05. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 24W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 790pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 32 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 112A. Marcação na caixa: 28N03L. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.6V

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 85m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Proteção GS: NINCS. Id(im): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Proteção GS: NINCS. Id(im): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 785pF. Custo): 33pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Proteção GS: NINCS. Id(im): 18A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 06N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 30pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 750 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Proteção GS: NINCS. Data de produção: 2015/05. Id(im): 14.6A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 07N60S5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.56 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1100pF. Custo): 46pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 24A. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: 08N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 10N10. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 426pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1200pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 33A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 11N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1460pF. Custo): 610pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 22A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: 11N60S5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 130 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3.5V

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 11A. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 33A. Id(im): 33A. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 51A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: SPP17N80C2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 51A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V