Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - SPB80N04S2-H4

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Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - SPB80N04S2-H4. Transistor de canal N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 4480pF. Custo): 1580pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 195 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ‘Modo de aprimoramento’. Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N04H4. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 07:25.

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