Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP17N80C2

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP17N80C2
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5 - 9 4.78€ 5.88€
10 - 24 4.63€ 5.69€
25 - 49 4.43€ 5.45€
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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - SPP17N80C2. Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Id(im): 51A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: SPP17N80C2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 07:25.

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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=2...
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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 51A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V
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