FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. RoHS: sim. C (pol.): 1600pF. Custo): 150pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 3. Função: Controles do motor, inversor. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 41A. Ic(pulso): 112A. Marcação na caixa: G30N60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 291 ns. Td(ligado): 44 ns. Tecnologia: IGBT rápido em tecnologia NPT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P4. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 235pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L6. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 305pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L8. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.66W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 30 v, 7.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4410BDY. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10.5A. DI (T=25°C): 13.5A. Idss (máx.): 13.5A. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 50A. Marcação na caixa: 4420AP. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET

Transistor de canal N, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 17m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 12V. C (pol.): 12350pF. Custo): 2775pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 84 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 70A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 7.8W. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 240 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V

Transistor de canal N, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 20uA. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 80V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 20uA. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 80V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40Ap. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 30V/-30V, 3.7A/-3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4532ADY-T1-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.13W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4532CDY-T1-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns/10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 305/340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.14W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4559EY. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns/8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 36/12ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 0.0155 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, MOSFET de potência. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40Ap. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 4800B. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 12.4A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 0.0074 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 2000pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: sim. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4946BEY-T1-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 4.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4946EY-T1-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 60 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, TO-263AB, 30 v, 6.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI9410BDY-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 4.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI9936BDY. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 550pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0075 Ohms. Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 985pF. Custo): 205pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 14 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Interruptor do lado alto . Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 196k Ohms. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 29.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 90A, Outro, Outro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 5000pF. Custo): 720pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Função: IGBT de alta potência. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 150A. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Número de terminais: 7. RoHS: sim. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 330A, Outro, Outro, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 23.1pF. Custo): 1.9pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Função: IGBT de alta potência. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 470A. Ic(pulso): 600A. Número de terminais: 7. Dimensões: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 650 ns. Td(ligado): 330 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.15V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1100pF. Custo): 107pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: S-IGBT rápido em tecnologia NPT. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 80A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 179W. RoHS: sim. Spec info: K20N60. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 445 ns. Td(ligado): 36ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1150pF. Custo): 120pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 280 ns. Função: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Corrente do coletor: 46A. Ic(pulso): 84A. Marcação na caixa: K25N120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 313W. RoHS: sim. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 730 ns. Td(ligado): 45 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 3.1V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 49A, 77.5A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 77.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.041 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 8180pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Maior robustez MOSFET dv/dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 267A. IDss (min): 5uA. Marcação na caixa: 6R041P6. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 481W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 29 ns. Tecnologia: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V