Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.57€ | 3.16€ |
5 - 9 | 2.44€ | 3.00€ |
10 - 24 | 2.36€ | 2.90€ |
25 - 49 | 1.71€ | 2.10€ |
50 - 99 | 1.67€ | 2.05€ |
100 - 249 | 1.61€ | 1.98€ |
250 - 7498 | 1.56€ | 1.92€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.57€ | 3.16€ |
5 - 9 | 2.44€ | 3.00€ |
10 - 24 | 2.36€ | 2.90€ |
25 - 49 | 1.71€ | 2.10€ |
50 - 99 | 1.67€ | 2.05€ |
100 - 249 | 1.61€ | 1.98€ |
250 - 7498 | 1.56€ | 1.92€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A - SI4946BEY-T1-E3. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 5.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4946BEY-T1-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Vishay (siliconix). Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 14:25.
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