FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 4.1m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): MP-25ZP. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 6400pF. Custo): 465pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 900. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 328A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 82N055. Número de terminais: 2. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 142W. RoHS: sim. Spec info: transistor MOSFET . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.039 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 707pF. Custo): 224pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Nível lógico. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 20N6LG. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N06LG. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 990pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. On-resistência Rds On: 0.084 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 45A/10us. Id(im): 45A. Nota: serigrafia/código SMD 55094G. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET

Transistor de canal N, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.122 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 27A/10us. Id(im): 27A. Nota: serigrafia/código SMD 3150G. Pd (dissipação de energia, máx.): 29W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. On-resistência Rds On: 0.089 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: nível lógico, pulso ID 45A/10us. Id(im): 45A. Nota: 55L104G. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET

Transistor de canal N, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.089 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. RoHS: sim. C (pol.): 316pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: nível lógico, pulso ID 45A/10us. Proteção GS: NINCS. Id(im): 45A. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 55L104G. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 9.2 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 55L104G. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 96A. DI (T=25°C): 124A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4490pF. Custo): 952pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 230A. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 4804NG. Marcação na caixa: 4804NG. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 230A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V

Transistor de canal N, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSOP-6. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 510pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de bateria de íon de lítio, notebook . Proteção GS: NINCS. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 446. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V

Transistor de canal N, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 118A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 4416pF. Custo): 296pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor DC/DC, Inversor Boost. Proteção GS: NINCS. Id(im): 472A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 503W. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 19V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. DI (T=100°C): 38A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8FL. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 108A/10ms. Id(im): 108A. Nota: serigrafia/código SMD 4744N. Marcação na caixa: 4744N. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET

Transistor de canal N, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. DI (T=100°C): 138A. DI (T=25°C): 191A. Idss (máx.): 191A. On-resistência Rds On: 1.3M Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8FL. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 288A/10ms. Id(im): 288A. Nota: serigrafia/código SMD 4833N. Marcação na caixa: 4833N. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 114W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET

Transistor de canal N, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. On-resistência Rds On: 2.9m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8FL. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 208A/10ms. Id(im): 208A. Nota: serigrafia/código SMD 4835N. Marcação na caixa: 4835N. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 63W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Power MOSFET

Transistor de canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 790pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aprimoramento de nível lógico. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.8 ns. Td(ligado): 2.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo

Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. DI (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (máx.): 30A. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. C (pol.): 860pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo

Transistor de canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). DI (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (máx.): 50A. On-resistência Rds On: 5.1M Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 (D2PAK). C (pol.): 2780pF. Custo): 641pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 34 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 59.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo

Transistor de canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 50A. On-resistência Rds On: 15m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 1200pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção GS: NINCS. Id(im): 150A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo

Transistor de canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 75A. On-resistência Rds On: 5M Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção GS: NINCS. Id(im): 170A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo

Transistor de canal N, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-404. Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 920pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor de potência de efeito de campo, Controle de nível lógico. Proteção GS: NINCS. Id(im): 180A. IDss (min): 0.05uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 86W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 45A. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor de potência de efeito de campo, Controle de nível lógico. Id(im): 180A. Pd (dissipação de energia, máx.): 86W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: TrenchMOS transistor

Transistor de canal N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 6.2A. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 8.7A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS SOT78

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: PMV213SN. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.5 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. DI (T=100°C): 47A. DI (T=25°C): 68A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 13.9m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK (SOT404). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3195pF. Custo): 221pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação padrão. Proteção GS: NINCS. Id(im): 272A. IDss (min): 0.06uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 20.7 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. DI (T=100°C): 60.8A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 12m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 4900pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 240A. IDss (min): 0.05uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V