Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB - P30N03A

Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB - P30N03A
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Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB - P30N03A. Transistor de canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. DI (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (máx.): 30A. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. C (pol.): 860pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Produto original do fabricante Motorola. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 11:25.

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Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. ...
2SK1358
Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(im): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS II.5. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V
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Transistor de canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1300pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(im): 27A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo MOS II.5. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V
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