Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.68€ | 4.53€ |
5 - 9 | 3.50€ | 4.31€ |
10 - 24 | 3.38€ | 4.16€ |
25 - 49 | 3.31€ | 4.07€ |
50 - 99 | 3.24€ | 3.99€ |
100 - 249 | 3.13€ | 3.85€ |
250+ | 3.02€ | 3.71€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 3.68€ | 4.53€ |
5 - 9 | 3.50€ | 4.31€ |
10 - 24 | 3.38€ | 4.16€ |
25 - 49 | 3.31€ | 4.07€ |
50 - 99 | 3.24€ | 3.99€ |
100 - 249 | 3.13€ | 3.85€ |
250+ | 3.02€ | 3.71€ |
Transistor de canal N, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V - PSMN035-150P. Transistor de canal N, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 30 milliOhms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 4720pF. Custo): 456pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 118 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 200A. IDss (min): 0.05uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 79 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 13:25.
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