Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113

Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113
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Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113. Transistor de canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 5M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2930pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 380A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 2N03L04. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 188W. RoHS: sim. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 13:25.

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Transistor de canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI...
IRLB8743PBF
Transistor de canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor CC/CC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 620A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Spec info: High Frequency Synchronous. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V
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IRLB8748PBF

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Transistor de canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI...
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