FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 12A. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 850pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: controle de nível lógico, proteção ESD. Proteção GS: diodo . Marcação na caixa: F3055L. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento

Transistor de canal N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 900pF. Custo): 325pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 30A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: F12N10L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+155°C. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: MegaFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 53W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 11A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFP3055LE. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 38W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFP50N06. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 37 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2020pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 131W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 70A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: RFP70N06. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2250pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Tensão do coletor/emissor Vceo: 330V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: trr 0.1us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Tensão do coletor/emissor Vceo: 330V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: trr 0.06us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. C (pol.): 1200pF. Custo): 80pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Compatibilidade: Samsung PS42C450B1WXXU. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: trr 0.06us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.06 ns. Td(ligado): 0.02 ns. Tecnologia: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 40A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Trr 450ns, td(on) 52ns, td(off) 180ns. Id(im): 60.4k Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor MOSFET canal N

Transistor de canal N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 360V. C (pol.): 85pF. Custo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Função: IGBT. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 250A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 40 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 115mA. Idss (máx.): 115mA. On-resistência Rds On: 7.5 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 25pF. Custo): 10pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Interface e comutação. Proteção GS: sim. Id(im): 0.8A. Marcação na caixa: RKM. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Silicon N-channel MOSFET. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 2.5A. On-resistência Rds On: 0.074 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TSMT3. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação de energia, conversores DC/DC. Id(im): 10A. Nota: impressão de tela/código SMD QY. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N-Ch MOS FET

Transistor de canal N, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. C (pol.): 1830pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação de energia, conversores DC/DC, inversores. Proteção GS: sim. Id(im): 35A. Marcação na caixa: TB. Número de terminais: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MOSFET N-ch de unidade 4V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.0125 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: MOSFET N-ch de unidade 4V

Transistor de canal N, 20A, 20A, TO-247, TO-247. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor N MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos

Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1970pF. Custo): 310pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: IGBT de alta velocidade. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 48A. Ic(pulso): 90A. Marcação na caixa: G30N60RUFD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. RoHS: sim. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V

Transistor de canal N, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 550pF. Custo): 62pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Função: Controles do motor, inversor. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 40A. Marcação na caixa: G10N60A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 92W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 178 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: IGBT rápido em tecnologia NPT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: GP15N120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 30A. Corrente máxima do coletor (A): 52A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 24 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 750 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 198W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 30A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. RoHS: sim. C (pol.): 1600pF. Custo): 150pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Função: Controles do motor, inversor. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 41A. Ic(pulso): 112A. Marcação na caixa: G30N60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 291 ns. Td(ligado): 44 ns. Tecnologia: IGBT rápido em tecnologia NPT. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P4. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 235pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 3.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L6. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 305pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L8. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.66W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET