FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: 60T65PES. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 535W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 142ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 1.4A, 1.4A, 30 v. DI (T=25°C): 1.4A. Idss (máx.): 1.4A. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: 0505-111646. Nota: serigrafia/código SMD QU. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SMD 5p.

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1700pF. Custo): 184pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo Trr (mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 49W. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 76 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1650pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo Trr (mín.): 355 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 48A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 49.6W. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 780pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 272 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF. Proteção GS: NINCS. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1160pF. Custo): 134pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo Trr (mín.): 360ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: MDF9N60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 31 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 6uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 62V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Eletrônica automotiva. Proteção GS: sim. IDss (min): 0.6uA. Marcação na caixa: L2N06CL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: MOSFET HYBRID. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 5us. Td(ligado): 1us. Tecnologia: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MMBF170. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 40pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 25mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6K. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 9mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/código SMD 61S. Marcação na caixa: 61 S. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V

Transistor de canal N, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (máx.): 1mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Nota: serigrafia/código SMD 62P. Marcação na caixa: 62 P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2mA. RoHS: sim. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 40V

Transistor de canal N, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 30mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Amplificador VHF/UHF, oscilador e mixer . Proteção GS: NINCS. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/código SMD 6U. Marcação na caixa: 6U. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12mA. RoHS: sim. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor de canal N, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 60mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Amplificador VHF/UHF, oscilador e mixer . Proteção GS: NINCS. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. Nota: serigrafia/código SMD 6T . Marcação na caixa: 6T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 25V, 60mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6T. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 6.95A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 890pF. Custo): 670pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 375 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Estágios de fonte de alimentação PFC, aplicações de comutação, controle de motor, conversores CC/CC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 33A. Marcação na caixa: 60R360P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: N-channel POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.22A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: JD. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 16 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 410pF. Custo): 114pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 45A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. RoHS: sim. Spec info: Transistor fechado de nível lógico. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AE, 100V, 45A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AE. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MTW45N10E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-264, 100V, 100A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MTY100N10E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 96 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 372 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 10640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25A. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 75A. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 2960pF. Custo): 1130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 225A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDS355AN_NL. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 195pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xV-MOS