FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. DI (T=25°C): 105A. Idss (máx.): 2uA. On-resistência Rds On: 17m Ohms. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 9100pF. Custo): 2200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. Id(im): 480A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 400W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 1.5mA. On-resistência Rds On: 13m Ohms. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 7000pF. Custo): 2250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. Id(im): 380A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 133A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 7600pF. Custo): 2900pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. Id(im): 400A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, PLUS247, PLUS-247 (TO247 sem furo de fixação), 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.24 Ohms. Carcaça: PLUS247. Habitação (conforme ficha técnica): PLUS-247 (TO247 sem furo de fixação). Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 7500pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 136A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 560W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1500pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Função: HiPerFAST IGBT with Diode. Corrente do coletor: 48A. Ic(pulso): 80A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 15 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Nota: Transistor HiPerFAST IGBT . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2700pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 120ns. Função: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Diodo CE: sim

Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1960pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Função: IGBTs PT de alta velocidade para comutação de 40-100kHz. Corrente do coletor: 56A. Ic(pulso): 230A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 92 ns. Td(ligado): 19 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Spec info: Superfície traseira eletricamente isolada. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 3900pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 35ns. Função: C2-Class High Speed IGBT. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 300A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 18 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Nota: Transistor HiPerFAST IGBT . Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2113pF. Custo): 197pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: IGBT com diodo de recuperação suave ultrarrápido. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 260A. Pd (dissipação de energia, máx.): 268W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 127 ns. Td(ligado): 43 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Nota: isolamento 2500V (50/60Hz RMS, t=1 minuto). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.092 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263AB ). Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 90A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHTTM Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AD, 500V, 24A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXTH24N50. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AD, 1 kV, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXTH5N100A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 96A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 24m Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4800pF. Custo): 1020pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 160 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 225A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 92m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 90A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 92 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 4000pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 130A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.066 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2500pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 240A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 176W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: TrenchMVTM Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2770pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 240A. IDss (min): 2uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: TrenchT2TM Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 92m Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 90A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 24A, 200uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V, 270 milliOhms. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 200uA. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. On-resistência Rds On: 270 milliOhms. C (pol.): 2890pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 50A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 480W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: PolarP2TM Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 88A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 40m Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 6300pF. Custo): 950pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: N-Channel Enhancement Mode. Id(im): 220A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 96 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. On-resistência Rds On: 8 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 160pF. Custo): 35pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 5 ns. Td(ligado): 6 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 0.7V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 30 Ohms, 35V. On-resistência Rds On: 30 Ohms. Tensão Vds(máx.): 35V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Função: Up 10V. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 10V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (máx.): 5mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 Ammo-Pak. Tensão Vds(máx.): 35V. C (pol.): 28pF. Custo): 5pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Função: Up 4.5V. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. On-resistência Rds On: 100 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 35V. C (pol.): 28pF. Custo): 5pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 35V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: 60T65PES. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 535W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 142ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS