Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.96€ | 2.41€ |
5 - 9 | 1.87€ | 2.30€ |
10 - 24 | 1.81€ | 2.23€ |
25 - 49 | 1.47€ | 1.81€ |
50 - 99 | 1.44€ | 1.77€ |
100 - 249 | 1.39€ | 1.71€ |
250 - 4627 | 1.34€ | 1.65€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.96€ | 2.41€ |
5 - 9 | 1.87€ | 2.30€ |
10 - 24 | 1.81€ | 2.23€ |
25 - 49 | 1.47€ | 1.81€ |
50 - 99 | 1.44€ | 1.77€ |
100 - 249 | 1.39€ | 1.71€ |
250 - 4627 | 1.34€ | 1.65€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A - NTD20N06LT4G. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N06LG. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 990pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 12:25.
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