FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 4m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2150pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. IDss (min): 1uA. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: Impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 113A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4880pF. Custo): 950pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 640A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 135W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 55V, IPAK. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Carcaça: IPAK. Série de produtos: HEXFET. Polaridade: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 17A. Tensão porta/fonte Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensão porta/fonte Vgs max: -16V. Max: 45W. Tipo de montagem: SMD

Transistor de canal N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 480pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 55V, 18A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLZ24NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 480pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 880pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 110A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 55V, 30A, 30A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Carcaça (padrão JEDEC): 30A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLZ34NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 880pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 47A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.022 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 160A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.022 Ohms, TO-220AB, 55V. On-resistência Rds On: 0.022 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 41A. Potência: 83W

Transistor de canal N, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AA. Tensão do coletor/emissor Vceo: 390V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Função: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diodo de germânio: Supressor . Corrente do coletor: 46A. Marcação na caixa: V5036P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10.8 ns. Td(ligado): 7 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão porta/emissor VGE: 10V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 1.3V. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Diodo CE: NINCS

Transistor de canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 6600pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 300A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AD, 800V, 13A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH13N80. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 63 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AD, 500V, 26A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH26N50. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 65 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4700pF. Custo): 580pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 104A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 5700pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 128A. IDss (min): 200uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AD, 200V, 58A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AD. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFH58N20. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-264AA, 300V, 140A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK140N30P. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 14000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1040W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.24 Ohms. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 7500pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 136A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 560W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 8400pF. Custo): 900pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: F-Class--MHz Switching. Id(im): 176A. IDss (min): 400uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1.5mA. On-resistência Rds On: 0.19 Ohms. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 800V. RoHS: sim. C (pol.): 12pF. Custo): 910pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(im): 100A. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-264AA, 500V, 44A, 25, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. Carcaça (padrão JEDEC): 25. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 500V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK48N50. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-264AA, 600V, 48A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK48N60P. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 85 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8860pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 830W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.5V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. DI (T=100°C): 5.5V. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 85m Ohms. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 500V. RoHS: sim. C (pol.): 7900pF. Custo): 790pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 150A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 830W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-264AA, 600V, 64A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-264AA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IXFK64N60P. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 12000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1040W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Carcaça: SOT-227B (ISOTOP). Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: GigaMOS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 48 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 41000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 940W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C