FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 55V, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL014N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 230pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 55V, 3.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL024. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 18 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 510pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 16 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 250pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. DI (T=100°C): 3.1A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 530pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 16A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 6.9ns. Td(ligado): 7.4 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL2703. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 530pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 3.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL2703. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 6.9ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 530pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 55V, 3.8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL2705. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 20V, 1.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 2.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 110pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 4.2A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 740pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 33A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 20V, 3.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1g. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 54 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=100°C): 0.93A. DI (T=25°C): 1.2A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 85pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 7.3A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 540mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9 ns. Td(ligado): 3.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: B. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 85pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 1.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 85pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 30 v, 5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.065 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 5V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 5V. C (pol.): 480pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 72A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR024NPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 55V, DPAK. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Carcaça: DPAK. Série de produtos: HEXFET. Polaridade: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 17A. Tensão porta/fonte Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Tensão porta/fonte Vgs max: -16V. Max: 45W. Tipo de montagem: SMD

Transistor de canal N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.185 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 440pF. Custo): 97pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 35A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR120NTRPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 880pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 75. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. Proteção GS: NINCS. Id(im): 110A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. RoHS: sim. Spec info: baixa resistência R-on 0,040 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.027 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2000. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção GS: NINCS. Id(im): 160A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 42A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLR2905PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 11m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1570pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 22ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS. Id(im): 240A. IDss (min): 20uA. Equivalentes: IRLR2905ZTRPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3980pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 34-51 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção GS: NINCS. Id(im): 250A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRLR3110ZPbF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: ±16. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 800pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LR3410. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 97W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2900pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 21ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS. Id(im): 360A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 33 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V