FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1800pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 36A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L540NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220A. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 0.4 Ohms, TO-220, 200V. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 9A. Potência: 74W

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1800pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 310 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 68A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 18A, 18A, TO-220AB, 200V. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 18A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L640S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SMD-220, 200V, 17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMD-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L640S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.0038 Ohms, TO-220, 30V. On-resistência Rds On: 0.0038 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 30V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 150A. Potência: 140W

Transistor de canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 7660pF. Custo): 2150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 740A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 21 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 243A. DI (T=25°C): 343A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.4M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 10315pF. Custo): 1980pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 39 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1372A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Acionamento do motor DC, comutação de energia de alta velocidade. Spec info: controle de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.0065 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1077pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 250A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 9 ns. Td(ligado): 9.1ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor CC/CC. Id(im): 620A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5110pF. Custo): 960pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UPS, Conversor CC/CC. Id(im): 620A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 185A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Carcaça: SUPER-220. Habitação (conforme ficha técnica): SUPER220. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 7660pF. Custo): 2150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 740A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 21 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. DI (T=100°C): 126A. DI (T=25°C): 179A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.005 Ohms. Carcaça: SUPER-220. Habitação (conforme ficha técnica): SUPER220. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 720A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 270W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 14 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, SUPER-220, 30 v, 179A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SUPER-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRLBA3803PPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 270W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 1.7A, 0.20 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 1.7A. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(im): 14A. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 870pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Diversos: Dynamic dv/dt Rating. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Comutação rápida, unidade de porta de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, DIP4, 60V, 2.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRLD024PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 870pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 740pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de amplificador otimizadas para áudio classe D. Id(im): 80A. IDss (min): 2uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 5.7 ns. Tecnologia: Áudio digital HEXSFET. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 10A, 14A, 25uA, 93m Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 93m Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 660pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de amplificador otimizadas para áudio classe D. Proteção GS: diodo . Id(im): 60A. IDss (min): 2uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 9.5 ns. Tecnologia: Áudio digital HEXSFET. Temperatura operacional: -40...+170°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 55V, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: LL014N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 230pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 55V, 3.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL024. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 18 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 510pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C