FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1100pF. Custo): 73pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Função: UltraFast CoPack IGBT. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Marcação na caixa: IRG4BC30UD. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 91 ns. Td(ligado): 40 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.1V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 12A, TO-220, TO-220AB, 600V. Ic(T=100°C): 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 980pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Função: transistor MOSFET de potência até 150 kHz. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Marcação na caixa: IRG 4BC30W. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 99 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Vce(on)--2.1V (IC=12A), 2.45V (IC=23A). Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 16A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 16A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 920pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 28A. Ic(pulso): 58A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 160 ns. Td(ligado): 60 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.21V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Spec info: Transistor IGBT ultrarrápido. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. DI (T=100°C): 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1100pF. Custo): 73pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Função: ULTRA FAST. Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Marcação na caixa: IRG4PC30UD. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 91 ns. Td(ligado): 40 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2200pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: TO-247AC. Unidade de condicionamento: montagem através de furo PCB. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 49A. Ic(pulso): 84A. Marcação na caixa: 230 ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 63 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1600pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 42A. Ic(pulso): 84A. Marcação na caixa: G4PC40K. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 25A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1600pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Corrente do coletor: 42A. Ic(pulso): 84A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 53 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2100pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 34 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.72V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Ultra rápido, para altas frequências operacionais de 8 a 40 kHz. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1900pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 27 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.05V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 27A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 27A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 3700pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 55A. Ic(pulso): 220A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 46 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.93V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 25. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 6050pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT de velocidade rápida . Corrente do coletor: 90A. Ic(pulso): 360A. Pd (dissipação de energia, máx.): 520W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 310 ns. Td(ligado): 42 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Custo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 21A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 21A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1800pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Função: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Corrente do coletor: 41A. Ic(pulso): 82A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 24 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.43V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.1V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 2800pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 90A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 36ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.77V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1220V. Ic(T=100°C): 24A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1220V. C (pol.): 2800pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 90A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 87 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.77V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 45A. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: IRG4PH50U. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 35 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.56V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C (pol.): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 15A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 850pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 92 ns. Corrente do coletor: 31A. Ic(pulso): 62A. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 184 ns. Td(ligado): 34 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.2V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Número de terminais: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 48A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 48A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 3025pF. Custo): 245pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 90A. Ic(pulso): 144A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 145 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247 ( AC ), 300V. Ic(T=100°C): 40A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. C (pol.): 2250pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 25. Corrente do coletor: 70A. Ic(pulso): 250A. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 112 ns. Td(ligado): 36ns. Temperatura operacional: -40...+140°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.29V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.57V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 130A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L1004S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 6590pF. Custo): 1710pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 640A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.004 Ohms, TO-220AB, 40V. On-resistência Rds On: 0.004 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 160A. Potência: 200W

Transistor de canal N, 140A, 200A, 200A, 0.005 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. On-resistência Rds On: 0.005 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 790A. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Função: Comutação rápida, unidade de porta de nível lógico

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 40V, 140A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL1404ZPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5080pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 140A, 200A, 20uA, 200A, 2.5M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 40V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (máx.): 200A. On-resistência Rds On: 2.5M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 5080pF. Custo): 970pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 790A. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 116A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3290pF. Custo): 1270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 400A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS