FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida

Transistor de canal N, soldagem PCB, I-PAK, 60V, 14A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: I-PAK. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFU024NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 4.3A, 0.54 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 100V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 4.3A. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 17A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.7A, 2.6A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 200V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. DI (T=100°C): 1.4A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 360pF. Custo): 92pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 8 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência de terceira geração. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-251AA, 500V, 2.4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-251AA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFU420PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 33 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-251AA, 200V, 24A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-251AA. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFU4620PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25.4 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1710pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 144W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 1.2A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 600V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 68A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 17A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ24NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZ24NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 29A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 700pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 57 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 100A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 31 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 30A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ34NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 31 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0175 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 160A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ44NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1470pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 35A, 49A, 250uA, 17.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 17.5m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 160A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 49A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZ44NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 44 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1470pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 94W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1812pF. Custo): 393pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 220A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.016 Ohms, TO-220AB, 60V. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 55A. Potência: 115W

Transistor de canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1696pF. Custo): 407pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 180A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 37A, 53A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 16.5m Ohms. Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1696pF. Custo): 407pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 180A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 50V, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFZ46NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1696pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 32A, 64A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1970pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 68 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 210A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-220AB, 55V, 64A, 0.014 Ohms, 55V. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V. Marcação do fabricante: IRFZ48NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1970pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 64A. Potência: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 12A, TO-220, TO-220 ( AB ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 ( AB ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Função: Ultra Fast Speed IGBT (8-40KHz). Corrente do coletor: 23A. Ic(pulso): 92A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 175 ns. Td(ligado): 27 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.59V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Número de terminais: 3. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS