FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 14A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP450LCPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 14A, 180W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Carcaça (padrão JEDEC): 180W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP450PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 92 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. DI (T=100°C): 121A. DI (T=25°C): 694A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0048 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 10470pF. Custo): 977pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 171A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 517W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 4200pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 80A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. RoHS: sim. C (pol.): 3100pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 80A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. Custo): 152pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 437ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 62A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 278W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 117 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: D Series Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. C (pol.): 3940pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3600pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Comutação rápida, carga de porta ultra baixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 20A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP460LCPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3600pF

Transistor de canal N, 500V, 20A, TOP-3 (TO-247), 500V. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Carcaça: TOP-3 (TO-247). Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP460PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 20A. Potência: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 130A. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 520A. Pd (dissipação de energia, máx.): 520W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (máx.): 72A. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 6160pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power-MOSFET. Id(im): 300A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.5V. Vgs(th) máx.: 5.5V. Nota: Alta freqüência. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-247AC, 100V, 72A, 0.014 Ohms, 100V. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. Marcação do fabricante: IRFP4710PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 35 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 41 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 72A. Potência: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 66A. DI (T=25°C): 94A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1070pF. Custo): 6040pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 380A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 580W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 200V, 94A, 580W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Carcaça (padrão JEDEC): 580W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP90N20DPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 580W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2700pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 88 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.58 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2100pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. IDss (min): 25uA-. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 33 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 600V, 11A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPC50PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 88 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 3900pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 64A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 3.4A. DI (T=25°C): 5.4A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1900pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 22A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: comutação rápida, ORION TV. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 800V, 5.4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPE40PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 7.8A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 3100pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 31A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 1.2 Ohms, TO-247AC HV, 800V. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-247AC HV. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 7.8A. Potência: 190W

Transistor de canal N, 4.7A, 4.7A, TO-247, TO-247AC, 900V. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 4.7A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: <63/214ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS L

Transistor de canal N, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.7A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2900pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 27A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 900V, 6.7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPF50PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C