FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 60V, 2.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 13 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 2.8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 400pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 11.2A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRFL024NPBF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 22.2 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 55V, 2.8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL024N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL110. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 0.6A. DI (T=25°C): 0.96A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 7.7A. IDss (min): 25uA. Nota: serigrafia/código SMD FC. Marcação na caixa: FC. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 200V, 0.96A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FC. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 140pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 55V. RoHS: sim. C (pol.): 660pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 30A. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 100V, 1.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FL4310. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP044N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET

Transistor de canal N, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 2400pF. Custo): 1300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 290A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 8.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1900pF. Custo): 620pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 94 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 210A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 64A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 4500pF. Custo): 2000pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 360A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 81A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.012 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2900pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 81 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 290A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 4000pF. Custo): 1300pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 390A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Carcaça (padrão JEDEC): 150W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP064NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 60V, 70A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP064PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 21 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.077 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1700pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Nota: transistor complementar (par) IRFP9140. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potência: 180W. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0042 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5600pF. Custo): 1310pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 640A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potência: 310W. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 31A. On-resistência Rds On: 0.51 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 131W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET

Transistor de canal N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PowerMOSFET. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 29A. DI (T=25°C): 41A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2800pF. Custo): 1100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 160A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFP150. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.36 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 140A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 100V, 42A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP150NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 100V, 42A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP150PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 60 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 22A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3450pF. Custo): 513pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 88A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 277W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 26 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V