FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 8.5A. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 650V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 4.4 Ohms, TO-220, 600V. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 2.2A. Potência: 50W

Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 660pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 14A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 510pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 14A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 9.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1300pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 25A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 600V, 6.2A, 1.2 Ohms, TO-220, 600V. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. Marcação do fabricante: IRFBC40PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 55 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 6.2A. Potência: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1300pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 16A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 82 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 800V, 4.1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFBE30PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 82 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 8 Ohms. Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 490pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 6.8A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 54W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 56 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 900V, 3.6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFBF30PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 980pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 12A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 89 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFBG30PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 89 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 980pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 310pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: FET. Função: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(im): 14A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.2, DIP-4, 60V. On-resistência Rds On: 0.2. Carcaça: DIP-4. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 1.7A

Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 640pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 88 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 60V, 2.5A, 60V, DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Vdss (dreno para tensão da fonte): 60V. Carcaça: DIP4. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Polaridade: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 2.5A. Tensão porta/fonte Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Tipo de montagem: THT

Transistor de canal N, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.71A. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 180pF. Custo): 81pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 8A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Carcaça (padrão JEDEC): DIP-4. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD110PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.94A. DI (T=25°C): 1.3A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 6.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, DIP4, 100V, 1.3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD120PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 18 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF

Transistor de canal N, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.94A. DI (T=25°C): 1.3A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 6.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=100°C): 0.38A. DI (T=25°C): 0.6A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 4.8A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=100°C): 0.38A. DI (T=25°C): 0.8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 200V. RoHS: sim. C (pol.): 22pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 6.4A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência de terceira geração. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, ITO-220AB, 55V, 64A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI3205PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 63W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 FULLPAK. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 29A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 37W. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência de terceira geração. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim