FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 1750pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: para aplicações de amplificador de áudio classe D. Proteção GS: NINCS. Id(im): 140A. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRFB5615PbF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 144W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 17.2ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: MOSFET de áudio digital. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 250A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 1.5M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 7330pF. Custo): 1095pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de acionamento de motor BLDC, circuitos alimentados por bateria, conversores DC/DC e AC/DC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1000A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V

Transistor de canal N, 40V, 0.0015 Ohms, TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V. On-resistência Rds On: 0.0015 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 250A/195A. Potência: 230W

Transistor de canal N, 40V, 0.002 Ohms, TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V. On-resistência Rds On: 0.002 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 172A/120A. Potência: 143W

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 172A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 2M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 4730pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de acionamento de motor BLDC, circuitos alimentados por bateria, conversores DC/DC e AC/DC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 770A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 143W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 115 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V

Transistor de canal N, 40V, 0.0026 Ohms, TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 40V. On-resistência Rds On: 0.0026 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 123A/120A. Potência: 99W

Transistor de canal N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Id(im): 37A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 8.5A. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 650V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 600V, 4.4 Ohms, TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 2.2A. Potência: 50W

Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 660pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Id(im): 14A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 510pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Id(im): 14A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 9.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1300pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Id(im): 25A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 600V, 6.2A, 600V, 1.2 Ohms, TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 600V. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Marcação do fabricante: IRFBC40PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 55 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 6.2A. Potência: 125W

Transistor de canal N, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1300pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 16A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 82 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 800V, 4.1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFBE30PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 82 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 8 Ohms. Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 490pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Id(im): 6.8A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 54W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 56 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 900V, 3.6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFBF30PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 980pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Id(im): 12A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 89 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFBG30PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 89 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 980pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 310pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: FET. Função: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Proteção GS: NINCS. Id(im): 14A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60V, 0.2, DIP-4. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V. On-resistência Rds On: 0.2. Carcaça: DIP-4. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 1.7A

Transistor de canal N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.8A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 640pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 88 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 20A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60V, DIP4, 60V, 2.5A. Vdss (dreno para tensão da fonte): 60V. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Polaridade: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 2.5A. Tensão porta/fonte Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Tipo de montagem: THT. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 640pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.71A. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 180pF. Custo): 81pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 8A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, DIP4, 100V, 1A, DIP-4. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Carcaça (padrão JEDEC): DIP-4. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD110PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C