FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 610pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 320 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Proteção GS: NINCS. Id(im): 18A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 620 ns. Custo): 93 ns. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 20A. IDss (min): 25uA. Temperatura: +105°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 500V, 4.5A, 74W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Carcaça (padrão JEDEC): 74W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF830PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 610pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1300pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 500V, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840APBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1018pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1018pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840ASPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1018pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 500V, 8A, 500V, 0.85 Ohms, TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 500V. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220. Marcação do fabricante: IRF840PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 8A. Potência: 125W

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF840SPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 760pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: sim. Id(im): 88A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: IRF8707G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 24A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F8788. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5720pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F9952. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190/190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 3.5A/-2.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F9952Q. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190/190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.52 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1423pF. Custo): 208pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, baixa carga de porta 52nC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2830pF. Custo): 3310pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Proteção GS: NINCS. Id(im): 68A. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.21 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.21 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2870pF. Custo): 3480pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 17A, 23A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 17A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 1200pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Proteção GS: NINCS. Id(im): 92A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: B23N15D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 40A, 56A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4220pF. Custo): 580pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS, conversores DC-DC de alta frequência. Proteção GS: NINCS. Id(im): 220A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FB260N. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 380W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 190A, 270A, 250uA, 0.0021 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0021 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 8970pF. Custo): 1020pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 44 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1080A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 118 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 0.0028 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0028 Ohm. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 9400pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 850A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 370W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 69 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 150A, 210A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 150A. DI (T=25°C): 210A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 6540pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 840A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.3M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 6920pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 670A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.3M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 6920pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 670A. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: FB3207. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 110A, 160A, 250uA, 3.3M Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.3M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 4520pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 31 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 620A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V