FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7313. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 6.6A / -5.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7317. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12/22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 57/63 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 900/780pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2. Unidade de condicionamento: 95. Função: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7343. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12/22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740/690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7343. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12/22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740/690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.9A/-4.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7389. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns/13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 26/34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650/710pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 1400pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de potência de comutação rápida. Id(im): 40A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 400V, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF740LC. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1100pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 400V, 10A, TO-220, 400V. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 400V. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF740PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 10A. Potência: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 400V, 10A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF740SPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1600pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 58A. IDss (min): 12uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 8.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7413. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 150uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. C (pol.): 1210pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Impedância de porta ultrabaixa. Id(im): 100A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 8.7 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 95. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3480pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 15A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7455. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3480pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 40V, 9.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7468. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2460pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 66A. IDss (min): 30uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 66A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 6.3 ns. Tecnologia: MOSFET de potência . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 770pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 31us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuito integrado para conversores DC-DC. Id(im): 88A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 10.8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7811. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1801pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7821. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1010pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 21A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7831. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.35V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 17 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6240pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7831. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.32V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4310pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +155°C

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 12m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3850pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 320A. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 12m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3850pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 99 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversores DC-DC de alta frequência. Id(im): 320A. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS