FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 37A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-220AB, 100V, 9.7A, 0.20 Ohms, 100V. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.7A. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. Marcação do fabricante: IRF520NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 5.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 9.7A. Potência: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 9.2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF520PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 360pF

Transistor de canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 670pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 56A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 920pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 60A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 9.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 17A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF530NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 35 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 920pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.16 Ohms, TO-220, 100V. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 14A. Potência: 75W

Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.077 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1700pF. Custo): 560pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: 1.3k Ohms. Id(im): 110A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1960pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 115 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 33A. Potência: 130W

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 33A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF540N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1960pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1400pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 110A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRF540NSPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F540NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1960pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 33A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 33A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F540NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1960pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 28A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 28A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF540PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 53 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. On-resistência Rds On: 21 milliOhms. C (pol.): 1770pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 140A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 92W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Resistência ultrabaixa, <0,021 Ohms. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 140pF. Custo): 53pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 10A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 3.3A. On-resistência Rds On: 1.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: VGS @10V. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 3.3A, 36W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. Carcaça (padrão JEDEC): 36W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF610PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 11 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 140pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 260pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 18A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 5.2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF620PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 260pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): 50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 36A. Pd (dissipação de energia, máx.): 72W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: N-Channel MOSFET. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 9A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 27 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 575pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 9A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF630PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C