FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3210pF. Custo): 690pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 290A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Usado para: -55...+175°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal N, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 71A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100A. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Vgs 20V. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Resistência Ultra Baixa (Rds)

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1900pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Proteção GS: NINCS. Id(im): 140A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 41A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF1310NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F1310NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. DI (T=100°C): 249A. DI (T=25°C): 353A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.2M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 24V. C (pol.): 5790pF. Custo): 3440pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 46 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1412A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 83 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 162A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 7360pF. Custo): 1680pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 650A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 40V, 202A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF1404PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 46 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5669pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 333W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.7M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 4340pF. Custo): 1030pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 750A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F1404S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 72 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7360pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.7M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 4340pF. Custo): 1030pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 750A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 220W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 118A. DI (T=25°C): 169A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0046 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5480pF. Custo): 1210pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 88 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 680A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 55V, 169A, soldagem PCB, TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: IRF1405PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5480pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 330W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3

Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0037 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 4780pF. Custo): 770pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 600A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0078 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 5600pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 520A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.8M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 6450pF. Custo): 1690pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca Rápida, Aplicações Automotivas . Proteção GS: NINCS. Id(im): 1080A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.9M Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5110pF. Custo): 1190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca Rápida, Aplicações Automotivas . Proteção GS: NINCS. Id(im): 700A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 13m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 3850pF. Custo): 610pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 280A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 230W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 75V, 82A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF2807PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3820pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F2807S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3820pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 260A. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 6320pF. Custo): 1980pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1020A. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 7500pF. Custo): 970pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 680A. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRF2907Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 180A. Idss (máx.): 180A. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Tensão Vds(máx.): 75V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3247pF. Custo): 781pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Tecnologia de Processo Avançada . Proteção GS: NINCS. Id(im): 390A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V