FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 2589pF. Custo): 77pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Cozinha indutiva, aplicações de comutação suave. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Marcação na caixa: H30R1202. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 390W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 792 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V

Transistor de canal N, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. C (pol.): 1810pF. Custo): 50pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Marcação na caixa: H30PR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 310 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.95V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V

Transistor de canal N, Outro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Equivalentes: Samsung--DC13-00253A. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 27.4W. RoHS: sim. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 800 ns. Td(ligado): 560 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.05V

Transistor de canal N, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 860pF. Custo): 55pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Função: IGBT de alta velocidade em tecnologia NPT. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 45A. Marcação na caixa: K15T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 188 ns. Td(ligado): 17 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.05V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V

Transistor de canal N, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1860pF. Custo): 96pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 50A. Ic(pulso): 75A. Marcação na caixa: K25T120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 560 ns. Td(ligado): 50 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.2V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1630pF. Custo): 107pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 117 ns. Função: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Marcação na caixa: K30H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 187W. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 207 ns. Td(ligado): 21 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247N. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 2330pF. Custo): 185pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: K40H1203. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 483W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 290 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.05V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V

Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 116pF. Custo): 2960pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tensão limite do diodo: 1.65V. Função: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 200A. Marcação na caixa: K50H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 235 ns. Td(ligado): 23 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V

Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 3140pF. Custo): 200pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 143 ns. Função: VCEsat muito baixo. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 150A. Marcação na caixa: K50T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 299 ns. Td(ligado): 26 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V

Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 4620pF. Custo): 288pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 182 ns. Função: VCEsat muito baixo. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 225A. Marcação na caixa: K75T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 428W. RoHS: sim. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 330 ns. Td(ligado): 33 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V

Transistor de canal N, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 440pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 19A. Proteção GS: NINCS. Id(im): 19A. IDss (min): 1uA. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Marcação na caixa: 6R600E6. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V

Transistor de canal N, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.83 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 785pF. Custo): 33pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 18A. Proteção GS: NINCS. Id(im): 18A. IDss (min): 10uA. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Marcação na caixa: 8R1K0CE. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: -20V

Transistor de canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. On-resistência Rds On: 2.1M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO263-7. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: OptiMOS Power. Temperatura operacional: -55...+175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 128 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 7500pF. Custo): 1900pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 4N03L02. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. RoHS: sim. Spec info: resistência ultrabaixa . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 62 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Temperatura operacional: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 5.6M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3400pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0607. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: resistência ultrabaixa . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2860pF. Custo): 740pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0608. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 215W. RoHS: sim. Spec info: resistência ultrabaixa . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2360pF. Custo): 610pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0609. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Spec info: resistência ultrabaixa . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 2.8m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 8000pF. Custo): 1700pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Proteção GS: NINCS. Id(im): 400A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 034N06N. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 63 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.0058 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2400pF. Custo): 920pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Id(im): 350A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 050N03L. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 6.7 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 27uA. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1900pF. Custo): 760pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Logic Level, Enhancement mode. Proteção GS: NINCS. Id(im): 200A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: PN03L06. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.2V

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. Carcaça: TO-262 ( I2-PAK ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-262. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2860pF. Custo): 740pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0608. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 215W. RoHS: sim. Spec info: resistência ultrabaixa . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 6m Ohms, PG-SOT223. On-resistência Rds On: 6m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): PG-SOT223. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 6.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -40...+150°C

Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): HexSense TO-220F-5. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 130pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Single FET, Dual Source. Proteção GS: NINCS. Id(im): 72A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 5. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 2800pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, resistência ultrabaixa. Proteção GS: NINCS. Id(im): 330A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V